功率放大器

<strong>Neil Zhao, Mariah Nie, 和 Ning Jia</strong>

考虑到日益迫近的全球能源危机和人们对环境保护的期望日益增高，节能对高效无线网络的运营至关重要。功率放大器(PA)是基站和 中继器的核心，其功耗可能占基站总功耗的一半。对功率放大器进行监控不仅可以提高功效、降低运营成本、提高输出功率和线性度， 而且可以使系统操作人员及时发现和解决问题，进而提高可靠性和可维护性。

ADI公司提供三种 PA监测器1实现方案：一种是分立器件方案，一种是基于 AD72942 的 12位的集成型监测和控制系统的方案，以及一种基于 ADuC7026 高精度 模拟微控制器3的集成型方案。分立方案需要使用的器件较多，而且 PCB布局复杂，PCB面积也较大，这些因素都导致较高的成本。A D7294的优点是集成度高、成本低且可靠性高，但缺点是需要使用外部微控制器(MCU)来实现PA监控功能。 A DuC7026与A D7294具有很多相同的优点，主要的区别是A DuC7026包含MCU。另外，ADuC7026支持外部同步采样，这个特性在TD-SCDMA应用中很有用。

<strong>议题</strong>

* GaN器件的市场地位
* 半导体器件特性：GaN与GaAs
* GaN优势
* GaN与GaAs的比较及实施相关的挑战
* GaN – 结束语

GaN正在进入多个应用领域！

* 军事应用：电子战、雷达系统
* 电信：基站/蜂窝基础设施
* 仪器仪表：实验室测试测量设备、油井井下应用等
* 有线电视
* 卫星通信
* 航天

<a href="http://adi.eetrend.com/files/2018-08/wen_zhang_/100013764-46828-10-31-1…; style="color:red;">详文请阅：克服GaN功率放大器实施中的挑战</a>

<strong>Walt DeMore ADI 公司工程经理 </strong>

<strong>摘要</strong>

GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。例如，2014年已做过基于GaN的X波段放大器的雷达系统应用展示，它能提供8 kW脉冲输出功率，用于取代行波管(TWT)器件和TWT放大器。2016年预计会出现这些固态GaN功率放大器的32 kW版本。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

不久前，GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术，已有成千上万的放大器交付实际使用。现在，该技术也被部署到机载电子战领域，开发中的放大器能够在RF/微波范围的多个倍频程上提供数百瓦的输出功率。此类宽带电子战功率放大器的多个版本将会在今年发布。