GaN

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满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。

评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能

半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进，GaN革命席卷了整个行业，并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率，因此，这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素，还列举了展现当今技术的GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。

在电信行业，基站的工作频率为450 MHz至3.5 GHz左右，并且随着更高带宽的需求增长而持续增加。卫星通信系统的工作频率主要为C-波段至Ka-波段。用于测量这些不同电子设备的仪器仪表需要能在所有这些必要的频率下工作，才能得到国际认可。因此，系统工程师需要努力尝试设计一些能够覆盖整个频率范围的电子设备。想到可以使用单个信号链覆盖整个频率范围，大多数系统工程师和采购人员都会非常兴奋。用单个信号链覆盖整个频率范围将会带来许多优势，其中包括简化设计、加速上市时间、减少要管理的器件库存等。单信号链方案的挑战始终绕不开宽带解决方案相对窄带解决方案的性能衰减。挑战的核心在于功率放大器，对于窄带宽其具有一流的功率和效率性能。

<strong>半导体技术</strong>

<strong>Walt DeMore ADI 公司工程经理 </strong>

<strong>摘要</strong>

GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。例如，2014年已做过基于GaN的X波段放大器的雷达系统应用展示，它能提供8 kW脉冲输出功率，用于取代行波管(TWT)器件和TWT放大器。2016年预计会出现这些固态GaN功率放大器的32 kW版本。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

不久前，GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术，已有成千上万的放大器交付实际使用。现在，该技术也被部署到机载电子战领域，开发中的放大器能够在RF/微波范围的多个倍频程上提供数百瓦的输出功率。此类宽带电子战功率放大器的多个版本将会在今年发布。

<strong>作者：Keith Benson</strong>

<strong>摘要</strong>

电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。在许多这样的系统中，人们倾向于使用一个涵盖所有频带的信号链。半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进。GaN革命席卷了整个行业，并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率，因此，这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。更短栅极长度的GaAs和GaN晶体管的出现以及电路设计技术的升级，衍生了一些可以轻松操作毫米波频率的新设备，开启了几十年前难以想象的新应用。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素，还列举了展现当今技术的GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。

新一代逆变器采用GaN和SiC等先进开关技术。宽带隙功率开关，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更轻的重量，通过提高开关频率来实现。

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