CMOS

作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。

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查看我们创新型高度集成式28nm CMOS RADAR雷达解决方案的系统级演示，该方案将角分辨率指数级升高，以支持面向OEM、一级厂商、创业公司和颠覆性初创公司的高度自动化的驾驶应用。

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介绍最新发布的AD9208 RF ADC和AD9172 RF DAC。

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采用远程信号源时，发生损害故障的可能性更大。可能因系统电源时序控制设计不当或系统要求热插拔而导致过压。若未采取保护措施，因连接欠佳或感性耦合导致的瞬变电压可能会损坏元件。另外，在电源发生故障或者开关输入仍然连接至模拟信号而电源连接丢失时，也可能出现故障。这些故障条件可能造成重大损坏，结果可能意味着高昂的维修成本。

图1所示电路利用一个带断电保护的低导通电阻、四通道单刀单掷开关ADG4612，为数据采集信号链提供保护。该数据采集系统包括低成本、精密JFET输入运算放大器ADA4000-1，后接一个低功耗、12位、1 MSPS SAR ADCAD7476。该ADG4612可在断电却仍存在输入信号时，提供低成本的、最高16V的过压故障保护。ADG4612采用3 mm × 3 mm LFCSP和16引脚TSSOP两种封装，需要增加的额外电路板面积很小。ADG4612可在不增加任何分离器件的条件下，为四个独立的数据采集通道提供保护。

<strong>作者：Mike Byrne</strong>

<strong>简介</strong>

所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压，由此导致的最大电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此，所有IC制造商都会提供其器件产品的绝对最大额定值技术规格，一般是提供施加于器件任何引脚的最大电压。器件过压指超过绝对最大额定值的应力或电压施加于该器件。本应用笔记重点讨论CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。

与IC工艺相关的本征击穿电压，就是指该工艺中的晶体管、嵌入式齐纳二极管或其他此类元件会有一个确定的击穿电压。显然，如果器件的正电源输入(VDD)和负电源输入(VSS)之间仅有一个此类元件，那么VDD — VSS的绝对最大额定电压就是该元件的击穿电压。由于所需IC功能、硅片尺寸限制及其它因素影响，因此无法总是确保IC内的任何单个元件上不会出现VDD - VSS。这意味着器件制造商将会选择可施加于电源的有限电压，以防器件受损。因此，器件制造商都会确定该限值，并在器件的数据手册上规定一个绝对最大额定值，以保证器件安全地处于击穿电压内。器件的用户也必须确保施加于器件的工作电压处于绝对最大额定值范围内。那么，问题出在哪里呢？