<strong>作者：Alan Righter、Brett Carn及EOS/ESD协会</strong>
充电器件模型(CDM) ESD被认为是代表ESD充电和快速放电的首要实际ESD模型，能够恰如其分地表示当今集成电路(IC)制造和装配中使用的自动处理设备所发生的情况。到目前为止，在制造环境下的器件处理过程中，IC的ESD损害的最大原因是来自充电器件事件，这一点已广为人知。
<strong>充电器件模型路线图</strong>
对IC中更高速IO的不断增长的需求，以及单个封装中集成更多功能的需要，推动封装尺寸变大，因而维持JEP1572, 3中讨论的推荐目标CDM级别将是一个挑战。还应注意，虽然技术扩展对目标级别可能没有直接影响(至少低至14 nm)，但这些高级技术改进了晶体管性能，进而也能支持更高IO性能(传输速率)，因此对IO设计人员而言，实现当前目标级别同样变得很困难。由于不同测试仪的充电电阻不一致，已公布的ESD协会(ESDA)截止20204年路线图建议，CDM目标级别将需要再次降低，如图1所示。
