ADuM4135

本视频展示了一个评估板上的ADI公司高功率隔离式栅极驱动器ADuM4135。ADuM4135驱动Microsemi SiC功率模块。此评估板是ADI公司与Microsemi合作的一个范例。

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提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器 ADuM4135，专门针对驱动绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)进行了优化。ADuM4135评估板提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。利用 ADuM4135，您的产品将符合 IE3 和 IE4 电机效率标准，从而与电机控制和电网逆变器均转向更高频率切换技术的业界趋势保持一致。

ADuM4135如何驱动Fuji SiC功率模块、Microsemi SiC功率开关以及Vincotech功率模块(SiC+IGBT)，请查看参看资料 http://www.analog.com/cn/products/interface-isolation/isolation/isolate…

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<strong>应用</strong>

* MOSFET/IGBT栅极驱动器
* 光伏逆变器
* 电机驱动
* 电源

<strong>概述</strong>

ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极性晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。输出侧可以由单电源或双电源供电，是否使能米勒箝位功能也可以进行配置。ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用的管脚读取。当器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压下IGBT的短路工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供300 ns的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部500 µA电流源有助于降低整体器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持使用外部电流源。

副边UVLO设置为IGBT通用的11 V阈值水平。

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ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动IGBT进行了优化。 ADI的iCoupler® 技术支持在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。

ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后，对器件复位进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。

<strong>应用</strong>

* MOSFET/IGBT栅极驱动器
* 光伏逆变器
* 电机驱动
* 电源

详细：

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<strong>概述</strong>

ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极性晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。输出侧可以由单电源或双电源供电，是否使能米勒箝位功能也可以进行配置。

ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用的管脚读取。当器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压下IGBT的短路工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供300 ns的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部500 µA电流源有助于降低整体器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持使用外部电流源。

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本视频详细讨论了隔离式栅级驱动器ADuM4135，看看这款这款器件能够为电机控制驱动器开发人员提供哪些系统优势。

<font color="#0000C6"><strong>提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器 </font>

ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动IGBT进行了优化。 ADI的iCoupler® 技术支持在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。

ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后，对器件复位进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。

副边UVLO设置为11V，并注意公共IGBT阈值电平。